半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

[名词解释] 半导体掺杂

[判断题] 本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体A . 正确B . 错误

[多选题] 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。A . 氧化B . 改变导电类型C . 涂层D . 改变材料性质E . 镀膜

离子注入是将被掺杂的杂质原子或分子进行离子化，经磁场选择和电场加速到一定的能量，形成一定电流密度的离子束流后被直接打进(扫描注入)半导体晶圆内部去。A. 正确B

本征半导体是指没有任何掺杂的半导体材料()A. 对B. 错

离子注入掺杂与扩散掺杂相比，下列说法正确的是()A. 离子注入的横向扩散很大，不利于提高IC集成度；B. 离子注入的工艺温度更高;C. 离子注入能更精确地控制掺

离子注入掺杂后需要进行退火处理，其目的是:A. 增加掺杂剂量B. 修复晶格损伤C. 增强掺杂物的反应活性D. 降低注入深度

[判断题] P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A . 正确B . 错误

[判断题] 硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A . 正确B . 错误

[问答题] 半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？