离子注入是将被掺杂的杂质原子或分子进行离子化，经磁场选择和电场加速到一定的能量，形成一定电流密度的离子束流后被直接打进(扫描注入)半导体晶圆内部去。

[填空题] 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

[判断题] 离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。A . 正确B . 错误

离子注入深度通过控制离子束____来控制,而掺杂浓度的控制可通过控制注入离子________来实现，是两个独立控制过程。 离子注入深度通过控制离子束____来

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

离子注入掺杂后需要进行退火处理，其目的是:A. 增加掺杂剂量B. 修复晶格损伤C. 增强掺杂物的反应活性D. 降低注入深度

[问答题] 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

[判断题] 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A . 正确B . 错误

[判断题] 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A . 正确B . 错误

[多选题] 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。A . 氧化B . 改变导电类型C . 涂层D . 改变材料性质E . 镀膜

离子注入掺杂与扩散掺杂相比，下列说法正确的是()A. 离子注入的横向扩散很大，不利于提高IC集成度；B. 离子注入的工艺温度更高;C. 离子注入能更精确地控制掺