离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。

离子注入掺杂与扩散掺杂相比，下列说法正确的是()A. 离子注入的横向扩散很大，不利于提高IC集成度；B. 离子注入的工艺温度更高;C. 离子注入能更精确地控制掺

离子注入深度通过控制离子束____来控制,而掺杂浓度的控制可通过控制注入离子________来实现，是两个独立控制过程。 离子注入深度通过控制离子束____来

离子注入掺杂后需要进行退火处理，其目的是:A. 增加掺杂剂量B. 修复晶格损伤C. 增强掺杂物的反应活性D. 降低注入深度

[问答题] 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

[填空题] 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

[名词解释] 离子注入

[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[问答题] 离子注入表面改性

离子注入的描述,正确的是?A. 入射离子的位移阈能大于Ed,发生级联碰撞B. 离子注入后退火的目的是消除晶格损伤，并使注入杂质实现电激活C. 一级近似下，无定形