A. 离子注入的横向扩散很大，不利于提高IC集成度；
B. 离子注入的工艺温度更高;
C. 离子注入能更精确地控制掺杂的浓度分布和掺杂深度
D. 离子注入受到杂质在衬底材料中固溶度的影响,掺杂元素的挑选范围窄。
[问答题] 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
[判断题] 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A . 正确B . 错误
离子注入掺杂后需要进行退火处理，其目的是:A. 增加掺杂剂量B. 修复晶格损伤C. 增强掺杂物的反应活性D. 降低注入深度
[填空题] 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
离子注入深度通过控制离子束____来控制,而掺杂浓度的控制可通过控制注入离子________来实现，是两个独立控制过程。 离子注入深度通过控制离子束____来
离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高。A. 正确B. 错误
[问答题] 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
粒子束注入，离子掺杂可以对材料进行改性A. 对B. 错
离子注入的描述,正确的是?A. 入射离子的位移阈能大于Ed,发生级联碰撞B. 离子注入后退火的目的是消除晶格损伤，并使注入杂质实现电激活C. 一级近似下，无定形
离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高，并且杂质浓度更容易控制。A. 正确B. 错误