A . 氧化
B . 改变导电类型
C . 涂层
D . 改变材料性质
E . 镀膜
[填空题] 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。
[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
[问答题] 简述离子注入工艺中退火的主要作用?
[判断题] 在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。A . 正确B . 错误
[多选题] 离子注入的主要气体源中,剧毒的有()。A . 砷化氢B . 二硼化氢C . 四氟化硅D . 三氟化磷E . 五氟化磷
[单选题]()就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面,使其中离子注入层在极短的时间内达到高温,消除损伤。A . 热退火B . 激光退火C . 连续激光退火D . 脉冲激光退火