A . 砷化氢
B . 二硼化氢
C . 四氟化硅
D . 三氟化磷
E . 五氟化磷
[多选题] 离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有()。A . 砷化氢B . 二硼化氢C . 三氟化硼D . 硅烷E . 氧气
[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
[问答题] 简述离子注入工艺中退火的主要作用?
离子注入过程中,常用的退火方法有()。A. 高温退火B. 快速热退火C. 氧化退火D. 电阻丝退火
离子注入工艺的主要目的是()A. 形成金属连线B. 掺杂半导体C. 沉积薄膜D. 清洗晶圆
[单选题]离子注入装置的主要部件有()、分析器、加速聚焦系统等。A . 中子源B . 离子源C . 电子源D . 质子源