A . 正确
B . 错误
[判断题] 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A . 正确B . 错误
曝光后,光刻胶由可溶变成不溶,该种光刻胶是正胶。A. 正确B. 错误
[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误
光刻胶根据溶解性的变化,可以分为A. 正胶B. 负胶C. 中性胶D. 光阻
离子注入时可以采用的掩膜有很多,例如二氧化硅,氮化硅,金属,光刻胶等,用的较多的是光刻胶。A. 对B. 错
[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
[问答题] 若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区,光刻时需要使用哪种光刻胶?为什么?并简介光刻操作流程。
环化橡胶类光刻胶是负胶。A. 正确B. 错误