A. 正确
B. 错误
进入半导体中的掺杂杂质要替代硅晶格格点处的位置,才能形成有效掺杂,这是杂质的激活,激活就是一个高温热处理过程。A. 正确B. 错误
85.-|||-离子注入之后为修复晶格损伤和激活杂质,必须进行退》-|||-A 对-|||-B 错
是晶体中不含杂质和晶格缺陷的纯净半导体。A. P型半导体B. n型半导体C. 本征半导体D. 平衡半导体
在晶格热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置后,挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而在原来位置上形成空位,这种缺陷称为( )。? 取代式缺陷;杂质缺陷;肖特
[判断题] 体心立方晶格的间隙中能容纳的杂质原子或溶质原子往往比面心立方晶格要多。A . 正确B . 错误
[填空题] 杂质原子在其它晶格中扩散时的推动力为(),同种原子在自己晶格中自扩散的推动力为()。
[判断题] 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A . 正确B . 错误
[单选题]钻石的荧光主要与晶格中的杂质元素()有关。A . 氢B . 氮C . 硼D . 铝
[判断题] 磷光和荧光与矿物晶格中的微量杂质有关。A . 正确B . 错误
[单选题]当晶格上的原子位置被外来原子所占据把这样的缺陷叫做()。A . 空位B . 间隙原子C . 置换原子D . 线缺陷