85.-|||-离子注入之后为修复晶格损伤和激活杂质,必须进行退》-|||-A 对-|||-B 错

[问答题] 离子注入后为什么要进行退火？

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[问答题] 离子注入后为什么要退火？

[判断题] 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A . 正确B . 错误

离子注入工艺中,可用光刻胶来作为注入时的掩蔽膜-|||-A 对-|||-B 错

[问答题,论述题] 热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

[名词解释] 离子注入

[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[问答题] 离子注入表面改性

退火的作用是修复晶格缺陷,还能使杂质原子移动到晶格格点上,激活杂质。A. 正确B. 错误