热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

[判断题] 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A . 正确B . 错误

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[问答题] 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高。A. 正确B. 错误

离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高，并且杂质浓度更容易控制。A. 正确B. 错误

[问答题] 离子注入后为什么要退火？

[问答题] 离子注入后为什么要进行退火？

[填空题] 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。

[判断题] 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。A . 正确B . 错误

85.-|||-离子注入之后为修复晶格损伤和激活杂质,必须进行退》-|||-A 对-|||-B 错