离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。

85.-|||-离子注入之后为修复晶格损伤和激活杂质,必须进行退》-|||-A 对-|||-B 错

把硅片片对离子注入的方向倾斜30°可抑制通道效应。A. 正确B. 错误

[判断题] 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A . 正确B . 错误

[判断题] 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A . 正确B . 错误

利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面,撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程 是()。A. 电阻加热蒸发B. 电子束蒸发C. 溅射D. 电镀

[判断题] 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。A . 正确B . 错误

退火的作用是修复晶格缺陷,还能使杂质原子移动到晶格格点上,激活杂质。A. 正确B. 错误

离子注入过程中,常用的退火方法有()。A. 高温退火B. 快速热退火C. 氧化退火D. 电阻丝退火

[问答题] 离子注入后为什么要退火？

[判断题] 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A . 正确B . 错误