离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。

[名词解释] 离子注入

[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[问答题,论述题] 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[问答题] 离子注入表面改性

把硅片片对离子注入的方向倾斜30°可抑制通道效应。A. 正确B. 错误

[名词解释] 离子注入的沟道效应

[问答题] 离子注入后为什么要退火？

离子注入的描述,正确的是?A. 入射离子的位移阈能大于Ed,发生级联碰撞B. 离子注入后退火的目的是消除晶格损伤，并使注入杂质实现电激活C. 一级近似下，无定形

[判断题] 离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。A . 正确B . 错误