把硅片片对离子注入的方向倾斜30°可抑制通道效应。

[名词解释] 离子注入的沟道效应

[判断题] 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A . 正确B . 错误

[判断题] 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A . 正确B . 错误

[名词解释] 离子注入

[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[判断题] 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。A . 正确B . 错误

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[问答题] 简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？

[问答题] 离子注入表面改性

[问答题,论述题] 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？