利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面,撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程 是()。

[单选题]用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。A . 蒸镀B . 离子注入C . 溅射D . 沉积

[单选题]溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。A . 电子B . 中性粒子C . 带能离子

[判断题] 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A . 正确B . 错误

通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是A. CVDB. 氧化C. 蒸发

[单选题]X线管中高速运动撞击靶面产生X线的粒子是（）A.原子B.分子C.中子D.质子E.电子

[单选题]X线管中高速运动撞击靶面产生X线的粒子是（　　）。A.原子B.分子C.中子D.质子E.电子

X线管中高速运动撞击靶面产生X线的粒子是（ ）A. 原子B. 分子C. 中子D. 质子E. 电子

利用气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体薄膜的工艺过程是:A. 氧化B. PVDC. CVDD. 外延生长

[判断题] CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A. 正确B. 错误

[填空题] 阳极靶被电子撞击的部分叫（）。