[判断题] CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。

[判断题] CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A . 正确B . 错误

[单选题]溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。A . 电子B . 中性粒子C . 带能离子

判断题 薄膜制备的方式中，CVD不消耗衬底材料。判断题

[单选题]摩擦副相对运动时，摩擦面上的粘着点被撕裂，使一个表面上的材料转移到另一个表面上或脱落下来，这种现象称为（）A . 磨料磨损B . 粘着磨损C . 腐蚀磨损

【单选题】金属薄膜淀积之后,用于淀积介质的CVD方法是:A. APCVDB. LPCVDC. PECVDD. ALD原子层淀积

通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是A. CVDB. 氧化C. 蒸发

[填空题] 一种物质的原子或分子附着在另一种物质的表面上的现象（）。

[判断题] 物质以扩散作用从一相转移到另一相的过程，即传质过程。A . 正确B . 错误

[填空题] 吸收过程是吸收质从气相转移到液相的过程。而物质从一相转移到别一相的过程，称为（）。

[单选题]用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。A . 蒸镀B . 离子注入C . 溅射D . 沉积