溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。

利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面,撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程 是()。A. 电阻加热蒸发B. 电子束蒸发C. 溅射D. 电镀

通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是A. CVDB. 氧化C. 蒸发

[单选题]（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。A . 溅射率B . 溅射系数C . 溅射效率D . 溅射比

特征 X 线是由轰击电子与靶原子的（ ）相互作用后产生的A. 内层轨道电子B. 外层轨道电子C. 中子D. 质子

[单选题]高速电子轰击靶物质时，靶原子的内层电子被电离而离开原子，外层电子进入内层轨道填补空位，多余的能量以辐射的形式释放，这种辐射光具有特定的能量，叫做（）。A .β射线B .内转换电子C .特征X射线D .韧致辐射

[判断题] CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A. 正确B. 错误

[单选题]电子轰击钨靶发生能量转换，其中A.1%能量转换成X线B.10%能量转换成X线C.25%能量转换成X线D.50%能量转换成X线E.99%能量转换成X线

[单选题]电子轰击钨靶发生能量转换，其中（　　）。A.1%能量转换成X线B.10%能量转换成X线C.25%能量转换成X线D.50%能量转换成X线E.99%能量转

[单选题]电子轰击钨靶发生能量转换，其中（）A . 1%能量转换成X线B . 10%能量转换成X线C . 25%能量转换成X线D . 50%能量转换成X线E . 99%能量转换成X线

[单选题]电子轰击钨靶发生能量转换，其中A.1%能量转换成X线B.10%能量转换成X线C.25%能量转换成X线D.50%能量转换成X线E.99%能量转换成X线