【单选题】金属薄膜淀积之后,用于淀积介质的CVD方法是:

[问答题,论述题] 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

[单选题]（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A . 蒸镀B . 离子注入C . 溅射D . 沉积

氮气在薄膜淀积过程中常常有赶气和携源的作用。A. 正确B. 错误

[名词解释] 预淀积

[问答题] 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

[问答题,论述题] CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？

[名词解释] 淀积粘化

[问答题] 淀积层（illuvialhorizon）

利用高压加速聚焦的电子束轰击源材料,使其受热融化,变成蒸汽分子进行薄膜淀积的工艺是:A. 电阻丝加热蒸发B. 电子束蒸发C. 溅射D. 刻蚀

[填空题] 二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。