氮气在薄膜淀积过程中常常有赶气和携源的作用。

【单选题】金属薄膜淀积之后,用于淀积介质的CVD方法是:A. APCVDB. LPCVDC. PECVDD. ALD原子层淀积

[单选题]（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A . 蒸镀B . 离子注入C . 溅射D . 沉积

利用高压加速聚焦的电子束轰击源材料,使其受热融化,变成蒸汽分子进行薄膜淀积的工艺是:A. 电阻丝加热蒸发B. 电子束蒸发C. 溅射D. 刻蚀

[问答题] 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

[问答题,论述题] 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

[名词解释] 化学气相淀积

[填空题] 氮气在整个系统内不赶干净，最主要危害是（）。

[判断题] 液化气赶氮气没有赶尽不会影响后续的操作。A . 正确B . 错误

[判断题] 原料缓冲罐液化气赶氮气的时候，容器放空管线中放出液化气就说明赶氮气工作可以结束。A . 正确B . 错误

利用气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体薄膜的工艺过程是:A. 氧化B. PVDC. CVDD. 外延生长