利用气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体薄膜的工艺过程是:

通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是A. CVDB. 氧化C. 蒸发

[多选题] 在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A . 均匀性B . 表面平整度C . 自由应力D . 纯净度E . 电容

[填空题] 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。

化学气相沉积是利用气态物质在一定温度下于固体表面上进行化学反应，生成固态沉积膜的过程。(）A. 正确B. 错误

[单选题]（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A . 蒸镀B . 离子注入C . 溅射D . 沉积

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A . 正确B . 错误

[问答题] 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

【单选题】金属薄膜淀积之后,用于淀积介质的CVD方法是:A. APCVDB. LPCVDC. PECVDD. ALD原子层淀积

[多选题] 在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。A . 使薄膜的介电常数变大B . 可能引入杂质C . 可能使薄膜层间短路D . 使薄膜介电常数变小E . 可能使薄膜厚度增加

[问答题,论述题] 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？