在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

[多选题] 在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。A . 使薄膜的介电常数变大B . 可能引入杂质C . 可能使薄膜层间短路D . 使薄膜介电常数变小E . 可能使薄膜厚度增加

利用气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体薄膜的工艺过程是:A. 氧化B. PVDC. CVDD. 外延生长

[问答题,论述题] 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

【单选题】金属薄膜淀积之后,用于淀积介质的CVD方法是:A. APCVDB. LPCVDC. PECVDD. ALD原子层淀积

[问答题] 淀积层（illuvialhorizon）

[单选题]薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是（）。A . 多晶体B . 非晶体C . 砷化镓D . 单晶体

[判断题] 在半导体中，靠空穴导电的半导体称N型半导体。A . 正确B . 错误

[判断题] 在半导体中，靠电子导电的半导体称P型半导体。A . 正确B . 错误

[填空题] 在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A . 600～750℃B . 900～1050℃C . 1100～1250℃D . 950～1100℃