在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

[多选题] 在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。A . 使薄膜的介电常数变大B . 可能引入杂质C . 可能使薄膜层间短路D . 使薄膜介电常数变小E . 可能使薄膜厚度增加

[问答题,论述题] 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

[问答题] 淀积层（illuvialhorizon）

[单选题]薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是（）。A . 多晶体B . 非晶体C . 砷化镓D . 单晶体

[判断题] 在半导体中，靠空穴导电的半导体称N型半导体。A . 正确B . 错误

[判断题] 在半导体中，靠电子导电的半导体称P型半导体。A . 正确B . 错误

[填空题] 在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A . 600～750℃B . 900～1050℃C . 1100～1250℃D . 950～1100℃

[问答题] 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

[单选题]在硅半导体中掺入少量的磷杂质，这种半导体一般称为（）型半导体。A .PB .NC .PND .PNP