[问答题,论述题] 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?
[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,即外延层。A . 正确B . 错误
【单选题】金属薄膜淀积之后,用于淀积介质的CVD方法是:A. APCVDB. LPCVDC. PECVDD. ALD原子层淀积
[名词解释] 物理气相淀积(pvd)
[多选题] 在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有()。A . 均匀性B . 表面平整度C . 自由应力D . 纯净度E . 电容
[填空题] 二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。