关于氧化速率下面哪种描述是正确的：? 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低（111）硅比（100）硅氧化得快生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律

下面是与硅热氧化速率有关的论述，哪种论述正确:A. 因为水汽在硅氧化层中的溶解度(也就是平衡浓度)远大于氧气，所以水汽的氧化速率比干氧氧化快得多B. 温度对抛物

下面是与硅热氧化速率有关的论述，哪种论述正确:()A. 因为水汽在硅氧化层中的溶解度(也就是平衡浓度)远大于氧气，所以水汽的氧化速率比干氧氧化快得多B. 温度对

影响氧化速率的因素主要有氧化方式、氧化温度、硅片晶向、氧化剂压力、掺杂水平等,其中,湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率。A. 正确B. 错误

热氧化生长过程中,以下对氧化速率影响最大的因素是()。A. 温度...B. 硅片晶向.C. 氧化剂压力D. 掺杂水平

关于硅表面氧化层，下面说法正确的是():A. 是单晶薄膜，氧原子几乎都是桥联氧B. 是非晶薄膜，有非桥联氧C. 性质与制备工艺无关D. 可作为器件的组成部分

[问答题,论述题] 说明影响氧化速率的因素。

[填空题] 硅氧化的特点是最初氧化，完全被氧化，（）。

【多选题】关于硅表面氧化层,下面那种说法正确:A. 是单晶薄膜，氧原子几乎都是桥联氧B. 是非晶薄膜，有非桥联氧C. 性质与制备工艺无关D. 可作为器件的组成部

在以下几项中,热氧化生长速率影响因素中最大的是A. 温度B. 压力C. 掺杂D. 晶向

[单选题]金属表面因腐蚀而形成氧化层，降低了腐蚀速率，这种作用称作：（）A .还原作用B .成核作用C .钝化作用D .空化作用