叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。

氮化硅湿法刻蚀常常采用的湿法腐蚀液为A. 磷酸B. 氢氟酸C. 硝酸D. 硫酸

[问答题] 简述非晶氢化氮化硅（α-SiNx：H）薄膜的优点及其制备工艺。

[多选题] 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A . 晶圆顶层的保护层B . 多层金属的介质层C . 多晶硅与金属之间的绝缘层D . 掺杂阻挡层E . 晶圆片上器件之间的隔离

氮化硅常常采用的干法刻蚀气体为:A. HFB. NF3C. HClD. Cl2

氮化硅（Si3N4）是一种高温陶瓷材料，它难溶于水、硬度大、熔点高、化学性质稳定。则由此推测氮化硅是（ ）A. 离子晶体B. 分子晶体C. 原子晶体D. 金属晶

[名词解释] 化学去除

[单选题]高密度氮化硅陶瓷选用哪种烧结方式最好（）。A . 常压烧结B . 热压烧结C . 反应烧结D . 气氛烧结

[单选题]（）去湿，属于化学去湿法。A .压榨B .冷冻C .分子筛D . D.干燥

[单选题]下列关于耐高温新型陶瓷——氮化硅(Si3N4)的叙述，正确的是A．氮化硅中Si、N两种元素的质量比为4：3B．氮化硅中氮元素的质量分数为60％C．14g氮化硅中含硅8.4gD．氮化硅的相对分子质量为l44

[问答题] 碳化硅陶瓷和氮化硅陶瓷各具有什么特性？主要有什么用途？