简述非晶氢化氮化硅（α-SiNx：H）薄膜的优点及其制备工艺。

[问答题] 叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。

电解槽内衬使用氮化硅结合碳化硅材料相对于石墨块的优点（）A. 导电性良好B. 韧性好C. 导热性良好D. 低电阻率

[多选题] 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A . 晶圆顶层的保护层B . 多层金属的介质层C . 多晶硅与金属之间的绝缘层D . 掺杂阻挡层E . 晶圆片上器件之间的隔离

[填空题] 氮化硅的晶型及特点：α-Si3N4低温型（1400—1600℃）（），硬度高，不稳定；β-Si3N4高温型：长柱状或斜状晶体，韧性强。

氮化硅常常采用的干法刻蚀气体为:A. HFB. NF3C. HClD. Cl2

硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。

氮化硅湿法刻蚀常常采用的湿法腐蚀液为A. 磷酸B. 氢氟酸C. 硝酸D. 硫酸

[单选题]高密度氮化硅陶瓷选用哪种烧结方式最好（）。A . 常压烧结B . 热压烧结C . 反应烧结D . 气氛烧结

[问答题] 碳化硅陶瓷和氮化硅陶瓷各具有什么特性？主要有什么用途？

氮化硅（Si3N4）是一种高温陶瓷材料，它难溶于水、硬度大、熔点高、化学性质稳定。则由此推测氮化硅是（ ）A. 离子晶体B. 分子晶体C. 原子晶体D. 金属晶