单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

[单选题]采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组（）电阻，并将电阻接成桥路。A .不等值B .等值C .线性值D .非线性值

[单选题]硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。A . 体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；B . 体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；C . 体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；

[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误

[单选题]单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）A . 表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B . 表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C . 表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D . 表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极

[问答题] 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

[填空题] 刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

[单选题]氯气、光气、氟化氢A．抑制血红素合成过程中的一系列酶B．抑制胆碱酯酶活性C．眼和呼吸道黏膜刺激作用D．抑制含巯基酶的活性E．组织缺氧

[单选题]氯气、光气、氟化氢A.抑制血红素合成过程中的一系列酶B.抑制胆碱酯酶活性C.眼和呼吸道黏膜刺激作用D.抑制含巯基酶的活性E.组织缺氧

[填空题] 单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。

[单选题]多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A . 二氧化硅B . 氮化硅C . 单晶硅D . 多晶硅