刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。

[多选题] 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A . 光刻胶B . 衬底C . 表面硅层D . 扩散区E . 源漏区

[问答题] 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

[判断题] 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。A . 正确B . 错误

二氧化硅刻蚀时,加入NH4F的,开始刻蚀时,对刻蚀速率影响的作用是:A. 加快B. 减缓C. 不变D. 不确定

[填空题] 刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

[单选题]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A . 选择性B . 均匀性C . 轮廓D . 刻蚀图案

中国大学MOOC: SiO2的湿法刻蚀溶液中加入哪种物质，可以减缓刻蚀速率。中国大学MOOC: SiO2的湿法刻蚀溶液中加入哪种物质，可以减缓刻蚀速率。

刻蚀均匀性是衡量刻蚀工艺在整个硅片上或整个一批硅片间,或批与批的硅片间刻蚀速率均匀性。A. 正确B. 错误

[判断题] 在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。A . 正确B . 错误

[名词解释] 刻蚀