[判断题]

在刻蚀中用到大量的化学气体,通常用氟刻蚀二氧化硅。

A . 正确

B . 错误

参考答案与解析:

相关试题

最常用的二氧化硅的湿法刻蚀腐蚀液包括()。

最常用的二氧化硅的湿法刻蚀腐蚀液包括()。A. 氢氟酸B. 氟化铵C. 去离子水D. 磷酸

  • 查看答案
  • 二氧化硅刻蚀时,加入NH4F的,开始刻蚀时,对刻蚀速率影响的作用是:

    二氧化硅刻蚀时,加入NH4F的,开始刻蚀时,对刻蚀速率影响的作用是:A. 加快B. 减缓C. 不变D. 不确定

  • 查看答案
  • 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的()内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。

    [单选题]在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的()内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。A . 气体B . 等离子体C . 固体D . 液体

  • 查看答案
  • 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时

    [单选题]晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A . n型掺杂区B . P型掺杂区C . 栅氧化层D . 场氧化层

  • 查看答案
  • 下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是()。

    [单选题]下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是()。A .4HF+Si=SiF4+2H2↑B .CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑C .CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑D . D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

  • 查看答案
  • 二氧化硅的干法刻蚀所采用的等离子体为:

    二氧化硅的干法刻蚀所采用的等离子体为:A. Cl*B. F*C. Ar*D. P*

  • 查看答案
  • 电焊烟尘中含有7%~16%的二氧化硅,长期吸入大量二氧化硅会造成()。

    [单选题]电焊烟尘中含有7%~16%的二氧化硅,长期吸入大量二氧化硅会造成()。A . 贫血;B . 硅肺病;C . 鼻腔溃疡;D . 气管炎。

  • 查看答案
  • 二氧化硅的化学符号是()。

    [填空题] 二氧化硅的化学符号是()。

  • 查看答案
  • 二氧化硅

    [单选题]二氧化硅A.阴离子乳化剂B.非离子乳化剂C.天然乳化剂D.固体微粒乳化剂E.辅助乳化剂

  • 查看答案
  • 硅粉的二氧化硅含量检测,用到了下列哪些化学物质()。

    [多选题]硅粉的二氧化硅含量检测,用到了下列哪些化学物质()。A.B.HCLC.D.HFE.NaOH

  • 查看答案