晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

[单选题]多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A . 二氧化硅B . 氮化硅C . 单晶硅D . 多晶硅

[判断题] 在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。A . 正确B . 错误

二氧化硅刻蚀时,加入NH4F的,开始刻蚀时,对刻蚀速率影响的作用是:A. 加快B. 减缓C. 不变D. 不确定

[单选题]在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。A . 气体B . 等离子体C . 固体D . 液体

最常用的二氧化硅的湿法刻蚀腐蚀液包括()。A. 氢氟酸B. 氟化铵C. 去离子水D. 磷酸

[问答题] 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

[单选题]下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是（）。A .4HF+Si=SiF4+2H2↑B .CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑C .CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑D . D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

二氧化硅的干法刻蚀所采用的等离子体为:A. Cl*B. F*C. Ar*D. P*

[填空题] 二氧化硅的含量高，硅砂的（）也较高。

[单选题]硅钼黄光度法测定水中可溶性二氧化硅，配制二氧化硅贮备液时，称取一定量的高纯二氧化硅置于（）中，加入无水碳酸钠，混匀，于高温炉中，在（）℃熔融1h。A . 镍堪埚，1000B . 瓷堪埚，900C . 铂堪埚，1000D . 镍堪埚，650