多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

[单选题]晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A . n型掺杂区B . P型掺杂区C . 栅氧化层D . 场氧化层

[问答题] 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

高纯多晶硅是()的主要原料。A. 带状多晶硅B. 铸造多晶硅C. 区熔单晶硅D. 直拉单晶硅

多晶硅的制备方法有 。A. 三氯氢硅的氢还原法B. 二氯氢硅的氢还原法C. 硅烷的热分解法D. 直拉法

[单选题]多晶硅组件效率不低于（）。A . 0.15B . 0.1C . 0.14D . 0.06

[问答题] 解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？

还原生产中多晶硅棒氧化夹层主要物质是A. 三氯氢硅B. 氧气C. 二氧化硅D. 二氯二氢硅

[多选题] 铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）A . 钝化晶界B . 钝化错位C . 钝化电活性杂质

[问答题] 铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

中国大学MOOC: 利用高频感应线圈对多晶硅逐段熔化，在多晶硅锭下方装置籽晶，熔区从籽晶和多晶硅锭界面开始，熔区推进，单晶拉制成功，该方法是中国大学MOOC: