A. 加快
B. 减缓
C. 不变
D. 不确定
[判断题] 在刻蚀中用到大量的化学气体,通常用氟刻蚀二氧化硅。A . 正确B . 错误
[单选题]在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的()内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。A . 气体B . 等离子体C . 固体D . 液体
最常用的二氧化硅的湿法刻蚀腐蚀液包括()。A. 氢氟酸B. 氟化铵C. 去离子水D. 磷酸
[单选题]晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A . n型掺杂区B . P型掺杂区C . 栅氧化层D . 场氧化层
[单选题]下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是()。A .4HF+Si=SiF4+2H2↑B .CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑C .CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑D . D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O
二氧化硅的干法刻蚀所采用的等离子体为:A. Cl*B. F*C. Ar*D. P*
[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误
[单选题]乙基纤维素中加入胶态二氧化硅的作用是()。A .色料B .增塑剂C .致孔剂D . D.增光剂E .固体物料防止粘连
[单选题]乙基纤维素中加入胶态二氧化硅的作用是A.色料B.增塑剂C.致孔剂D.增光剂E.固体物料防止粘连
[单选题]乙基纤维素中加入胶态二氧化硅的作用是A.色料B.增塑剂C.致孔剂D.增光剂E.固体物料防止粘连