刻蚀均匀性是衡量刻蚀工艺在整个硅片上或整个一批硅片间,或批与批的硅片间刻蚀速率均匀性。

[单选题]大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A . 薄膜厚度B . 图形宽度C . 图形长度D . 图形间隔

[单选题]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A . 选择性B . 均匀性C . 轮廓D . 刻蚀图案

[判断题] 不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。A . 正确B . 错误

[填空题] 刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

[判断题] 在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A . 正确B . 错误

[判断题] 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A . 正确B . 错误

[填空题] 芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。

[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误

[判断题] 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A . 正确B . 错误

[填空题] 制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。