刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

[填空题] 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。

[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误

[填空题] 刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

[单选题]大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A . 薄膜厚度B . 图形宽度C . 图形长度D . 图形间隔

[判断题] 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。A . 正确B . 错误

[问答题] 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

[单选题]在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A . 铜B . 铝C . 金D . 二氧化硅

[名词解释] 刻蚀

[填空题] 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

[多选题] 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A . 二氧化硅氮化硅B . 多晶硅硅化金属C . 单晶硅多晶硅D . 铝铜E . 铝硅