刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

刻蚀均匀性是衡量刻蚀工艺在整个硅片上或整个一批硅片间,或批与批的硅片间刻蚀速率均匀性。A. 正确B. 错误

[填空题] 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。

[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误

[单选题]大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A . 薄膜厚度B . 图形宽度C . 图形长度D . 图形间隔

[填空题] 刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

[判断题] 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。A . 正确B . 错误

[问答题] 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

二氧化硅刻蚀时,加入NH4F的,开始刻蚀时,对刻蚀速率影响的作用是:A. 加快B. 减缓C. 不变D. 不确定

[单选题]在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A . 铜B . 铝C . 金D . 二氧化硅

在干法刻蚀中，适当的掺杂氢原子会降低刻蚀速度，而掺杂氧原子则会提高刻蚀速度。A. 正确B. 错误