在刻蚀（）过程中假如我们在CF₅的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

[单选题]在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。A . 气体B . 等离子体C . 固体D . 液体

[单选题]为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A . 多晶硅B . 单晶硅C . 铝硅铜合金D . 铜

[多选题] 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。A . CF4B . BCl3C . Cl2D . F2E . CHF3

[单选题]（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A . 刻蚀速率B . 刻蚀深度C . 移除速率D . 刻蚀时间

[判断题] 高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A . 正确B . 错误

[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误

[多选题] 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A . 光刻胶B . 衬底C . 表面硅层D . 扩散区E . 源漏区

[问答题,论述题] 采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？

[单选题]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A . 选择性B . 均匀性C . 轮廓D . 刻蚀图案

[判断题] 在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。A . 正确B . 错误