高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。

二氧化硅的干法刻蚀所采用的等离子体为:A. Cl*B. F*C. Ar*D. P*

[判断题] 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A . 正确B . 错误

[单选题]为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A . 多晶硅B . 单晶硅C . 铝硅铜合金D . 铜

干法刻蚀的优点包括___A. 刻蚀剖面各向异性,非常好的侧壁剖面控制B. 最小的光刻胶脱落或粘附C. 好的片内、片间、批次间的刻锉均匀性D. 对下层材料的刻锉选

铝常常采用的干法刻蚀气体为:A. BClxB. Cl2C. HFD. HCl

一般湿法刻蚀是各向同性，而干法刻蚀则是各向异性。A. 正确B. 错误

在干法刻蚀中，适当的掺杂氢原子会降低刻蚀速度，而掺杂氧原子则会提高刻蚀速度。A. 正确B. 错误

[多选题] 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。A . CF4B . BCl3C . Cl2D . F2E . CHF3

[问答题] 什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。

[填空题] 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。