铝常常采用的干法刻蚀气体为:

氮化硅常常采用的干法刻蚀气体为:A. HFB. NF3C. HClD. Cl2

【多选题】铝进行干法刻蚀时，常常采用哪种物质A. HFB. HClC. Cl2D. BClx

干法刻蚀的优点包括___A. 刻蚀剖面各向异性,非常好的侧壁剖面控制B. 最小的光刻胶脱落或粘附C. 好的片内、片间、批次间的刻锉均匀性D. 对下层材料的刻锉选

[单选题]不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。A .CHF3B .C2F6C .C3F8D . D.HF

干法刻蚀选择性比湿法腐蚀好。A. 对B. 错

二氧化硅的干法刻蚀所采用的等离子体为:A. Cl*B. F*C. Ar*D. P*

利用物理的轰击作用实现干法刻蚀的是:A. 等离子体刻蚀B. 干法刻蚀C. 反应离子刻蚀D. 溅射刻蚀

[问答题,论述题] 根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

[问答题] 什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。

[填空题] 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。