A . 正确
B . 错误
一般湿法刻蚀是各向同性,而干法刻蚀则是各向异性。A. 正确B. 错误
湿法刻蚀的选择性比较好,但是为各向异性刻蚀。A. 正确B. 错误
[填空题] 刻蚀剖面指的是(),有两种基本的刻蚀剖面()刻蚀剖面和()刻蚀剖面。
以下刻蚀方法中,不属于各向同性的刻蚀是()。A. 湿法刻蚀B. 溅射刻蚀C. 等离子体刻蚀D. 反应离子刻蚀
[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误
两种刻蚀方法中,属于各向同性刻蚀的是:A. 干法刻蚀B. 湿法刻蚀C. 离子刻蚀D. 溅射刻蚀
[问答题] 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率?
二氧化硅刻蚀时,加入NH4F的,开始刻蚀时,对刻蚀速率影响的作用是:A. 加快B. 减缓C. 不变D. 不确定
[多选题] 通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。A . 光刻胶B . 衬底C . 表面硅层D . 扩散区E . 源漏区
[单选题]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A . 选择性B . 均匀性C . 轮廓D . 刻蚀图案