由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

[问答题] 什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。

[填空题] 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

[问答题,论述题] 根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

[判断题] 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A . 正确B . 错误

[问答题] 干法刻蚀有哪几种？相应的内容是什么？

[单选题]不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。A .CHF3B .C2F6C .C3F8D . D.HF

[判断题] 与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。A . 正确B . 错误

[判断题] 高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A . 正确B . 错误

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[判断题] 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A . 正确B . 错误