晶体生长技术包括有融体生长法和（）；其中融体生长法主要有（）、坩埚下降法、（）和焰融法。

【单选题】熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差A. 沸点B. 三相点C. 熔点D. 平衡温度

[填空题] 生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法，其中产出率最高的方法为（）

晶体生长方法有()A. 薄膜生长方法B. 气相生长法C. 熔体生长法D. 溶液生长法E. 固相生长法

熔体的冷却析晶相变，主要通过成核、晶体生长等二个过程来实现，成核速率和晶体生长速率都与过冷度⊿T 有关，只有在一定的过冷度下才能有最大的成核和生长速率。与晶体生

[单选题]当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.A . 上升B . 下降C . 不变D . 不确定

[单选题]当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率( )。A.上升B.下降C.不变D.不确定

[单选题]晶体生长最后应被生长速度（）的晶面包围。A . 快B . 慢C . 恒等D . A、B、C都不是

[填空题] 晶体生长的基本理论是（），（）。

[判断题] 晶体生长最后应被生长速度慢的晶面包围。A . 正确B . 错误

[填空题] 晶体生长过程中晶面发育的理论包括（）、（）、（）。