[问答题] 什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。
二氧化硅的干法刻蚀所采用的等离子体为:A. Cl*B. F*C. Ar*D. P*
铝常常采用的干法刻蚀气体为:A. BClxB. Cl2C. HFD. HCl
氮化硅常常采用的干法刻蚀气体为:A. HFB. NF3C. HClD. Cl2
[问答题,论述题] 根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？
[问答题] 为什么要应用隔离技术？
[问答题] 干法刻蚀有哪几种？相应的内容是什么？
干法刻蚀的优点包括___A. 刻蚀剖面各向异性,非常好的侧壁剖面控制B. 最小的光刻胶脱落或粘附C. 好的片内、片间、批次间的刻锉均匀性D. 对下层材料的刻锉选
【多选题】铝进行干法刻蚀时，常常采用哪种物质A. HFB. HClC. Cl2D. BClx
在干法刻蚀中，适当的掺杂氢原子会降低刻蚀速度，而掺杂氧原子则会提高刻蚀速度。A. 正确B. 错误