A . 二氧化硅氮化硅
B . 多晶硅硅化金属
C . 单晶硅多晶硅
D . 铝铜
E . 铝硅
[填空题] 刻蚀剖面指的是(),有两种基本的刻蚀剖面()刻蚀剖面和()刻蚀剖面。
[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误
[单选题]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A . 选择性B . 均匀性C . 轮廓D . 刻蚀图案
[填空题] 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是()、()和()。
[问答题] 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
[判断题] 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向)以相同的刻蚀速率进行刻蚀。A . 正确B . 错误
[单选题]硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()。A . 体刻蚀加工对基体材料进行加工,而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工;B . 体刻蚀加工不对基体材料进行加工,而面刻蚀加工对衬底材料进行加工;C . 体刻蚀加工可获得高纵横比的结构,而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构;
[名词解释] liga技术(X射线刻蚀电铸模法)