下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

[填空题] 刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

两种刻蚀方法中,属于各向同性刻蚀的是:A. 干法刻蚀B. 湿法刻蚀C. 离子刻蚀D. 溅射刻蚀

[名词解释] 刻蚀

[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误

[单选题]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A . 选择性B . 均匀性C . 轮廓D . 刻蚀图案

以下刻蚀方法中,不属于各向同性的刻蚀是()。A. 湿法刻蚀B. 溅射刻蚀C. 等离子体刻蚀D. 反应离子刻蚀

在干法刻蚀中，适当的掺杂氢原子会降低刻蚀速度，而掺杂氧原子则会提高刻蚀速度。A. 正确B. 错误

[名词解释] 刻蚀模

[填空题] 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

刻蚀均匀性是衡量刻蚀工艺在整个硅片上或整个一批硅片间,或批与批的硅片间刻蚀速率均匀性。A. 正确B. 错误