[填空题] 刻蚀剖面指的是(),有两种基本的刻蚀剖面()刻蚀剖面和()刻蚀剖面。
[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误
在干法刻蚀中,适当的掺杂氢原子会降低刻蚀速度,而掺杂氧原子则会提高刻蚀速度。A. 正确B. 错误
以下刻蚀方法中,不属于各向同性的刻蚀是()。A. 湿法刻蚀B. 溅射刻蚀C. 等离子体刻蚀D. 反应离子刻蚀
[判断题] 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向)以相同的刻蚀速率进行刻蚀。A . 正确B . 错误
二氧化硅刻蚀时,加入NH4F的,开始刻蚀时,对刻蚀速率影响的作用是:A. 加快B. 减缓C. 不变D. 不确定
两种刻蚀方法中,属于各向同性刻蚀的是:A. 干法刻蚀B. 湿法刻蚀C. 离子刻蚀D. 溅射刻蚀
[单选题]硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()。A . 体刻蚀加工对基体材料进行加工,而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工;B . 体刻蚀加工不对基体材料进行加工,而面刻蚀加工对衬底材料进行加工;C . 体刻蚀加工可获得高纵横比的结构,而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构;
[多选题] 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。A . 二氧化硅氮化硅B . 多晶硅硅化金属C . 单晶硅多晶硅D . 铝铜E . 铝硅